随着WLAN技术的发展，室内场景更倾向于依赖无线通信技术，2021年互联网约有50%的数据流量采用WiFi接入（来源：思科网络）。庞大的流量和接入需求推动着无线通信技术的发展，WiFi 6E标准开放了新的6GHz频段，可以使用14个80MHz通道和7个额外的160MHz通道，搭载MU-MIMO技术，支持4K QAM调制以及OFDMA，实现了室内大场景下的多点高频高效数据传输，为4K/8K视频流、大规模协同办公、智能家居和低时延大型游戏等场景提供可能性。
与需求扩张相对的，是国内市场对于支持WiFi 6E的芯片和技术仍处于探索阶段。三安集成凭借成熟的GaAs HBT/p-HEMT工艺平台，是目前国内，一家有能力量产WiFi 6E芯片的企业。目前，三安集成已与国内头部射频企业达成深度合作，实现多款WiFi 6E前端模块的量产，产品覆盖18.5-23.5dBm中高功率等级，具备优越的TX端线性功率和极限1.5dBm的RX端NF值。客户端产品已经成功打入国际市场，双方也正在针对下一代WiFi产品展开新一轮合作。
三安集成的GaAs HBT/p-HEMT出货量在国内一直保持领先；去年8月，三安集成的滤波器产品也进入了全球主流射频前端平台。如今GaAs代工业务已延伸至前沿的WiFi 6E技术，意味着三安集成射频前端业务在移动通信技术和无线通信技术的双向突破，有实力全方位覆盖客户在5G时代所需要的射频前端制造服务。
三安集成成熟的制造管理和可靠的产能保证是帮助客户快速抢占市场的利器。继承母公司三安光电二十年化合物半导体制造管理经验，三安集成发展了成熟全面的砷化镓HBT/p-HEMT工艺型谱，支持客户在复杂通信场景下的不同应用需求。三安集成面向未来市场，积极投入产能，在泉州南安芯谷园区建设了2,300亩的制造基地，规划了20,000片6寸砷化镓晶圆和256Mu颗双工器的月产能，为客户产品落地和快速迭代提供可靠支持。
