空气击穿电压与击穿距离、空气湿度、空气密度有很大关系，一般情况下，一毫米的距离大约要3KV！
对于为什么会击穿，我是这样认为的：
在非常大的电压差下，高压带电体周围的空气会被电离，本来是绝缘体的空气变成导体，就会形成电弧！
电离是指不带电的
粒子
在高压电弧或者高能
射线
等的作用下，变成了带电的粒子的过程。例如地球的
大气层
中的
电离层
里的粒子就属于这种情况。电离层中的粒子在宇宙中的高能射线的作用下，电离成了带电的粒子。
电容器的击穿电压与额定电压有什么不同？
空气被电击穿的条件是达到临界电压。常见的需要达到的临界电压为10kV。
气体介质在电场作用下发生碰撞电离而导致电极间贯穿性放电的现象。气体介质击穿与很多因素有关，其中主要的影响因素为作用电压、电极形状、气体的性质及状态等。
气体介质击穿常见的有直流电压击穿、工频电压击穿、冲击电压击穿、高气压电击穿、高真空电击穿、负电性气体击穿。介电击穿是指在两个导电板之间为了某些目的添加的不导电的物质，由于电压太高，这种物质被破毁，失去不导电的功能，变成了导体。这个现象就是介电击穿。最简单常见的介质是空气，如果电压大了，空气就会电离。
扩展资料：
空气电击穿的分类：
1、热击穿是指处于电场中的介质，由于介质损耗而发热，当外电场足够高时，散热与发热可能从平衡态转入非平衡态，若发热多干散热，介质温度愈来愈高直到出现局部的不可逆破坏。
2、电击穿是指在强电场下，固体导带中可能因冷发射或热发射存在的电子，在外电场作用下，电子被加速获得动能，另一方面，由于与晶格振动相互作用，把电场能量传递给晶格。
当上述两个过程在一定温度和场强下平衡时，介质有稳定的电导。当电子从电场中得到的能量大于传递给晶格振动的能量时，电子的动能越来越大，自由电子数急剧增加，电导进入不稳定状态，即发生电击穿。
3、化学击穿是指在电场及其导致的化学变化联合作用下的介质击穿。例如在高温和高湿下，或在直流和低频交流电场作用下，材料内部发生电解作用，使介质发生不可逆的化学变化，导致击穿场强降低，最后被击穿。
-介电击穿
-气体介质击穿
-气体击穿理论
开启电压，死区电压，击穿电压
1、性质不同：击穿电压的PN结发生临界击穿对应的电压为 PN 结的击穿电压BV。额定电压是电气设备长时间正常工作时的最佳电压。
2、特点不同：当电气设备的工作电压高于额定电压时容易损坏设备，而低于额定电压时将不能正常工作（如灯泡发光不正常，电机不正常运转）。BV 是衡量 PN结可靠性与使用范围的一个重要参数，在 PN 结的其它性能参数不变的情况下，BV 的值越高越好。
3、机理不同：当PN结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿。为了避免电压等级数量的无限制扩大，导致互联困难，必须使电网的额定电压标准化，为取得最佳的技术经济性能，电力设备需要在额定电压下进行优化设计、制造和使用。
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注意事项：
1、一般在低频耦合或旁路，电气特性要求较低时，可选用纸介、涤纶电容器;在高频高压电路中，应选用云母电容器或瓷介电容器;在电源滤波和退耦电路中，可选用电解电容器。
2、在振荡电路、延时电路、音调电路中，电容器容量应尽可能与计算值一致。在各种滤波及网(选频网络)，电容器容量要求精确;在退耦电路、低频耦合电路中，对同两级精度的要求不太严格。
3、电容器额定电压应高于实际工作电压，并要有足够的余地，一般选用耐压值为实际工作电压两倍以上的电容器。
4、优先选用绝缘电阻高，损耗小的电容器，还要注意使用环境。
-额定电压
-击穿电压
-电容器
死区电压也叫开启电压，击穿电压，是应用在不同场合的两个名称。死区电压，指的是即使加正向电压，也必须达到一定大小才开始导通，这个阈值叫死区电压，硅管约05V，锗管约01V。（硅和锗是制造晶体管最常用的两种半导体材料，硅管较多，锗管较少）
PN结的击穿机理
当 PN 结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于 1 对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，最终达到耗尽区载流子数目激增，PN 结发生雪崩击穿。
人生也如此。
绝大多数人痛苦在于：虽有向好之心，但是向好之心，但是好的程度太低，没有越过死区，调节系统还在死区里，无法产生大的动力，没有真正击穿，没有真正打通和开启一个稳定明显的好人因果循环。所以就非常纠结……
