1，你这种设计方式是不合理的，无法准确及稳定满足0～10的需求
因为电晶体本身放大就会有差异，即使是同一个规格的电晶体放大系数也只是一个范围值
而非书中所说100，或者80之类，实际上使用是80～120，这样就难以你这种线路计算了
2，我给你重新连接了一下，并提供你计算公式
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1,单以理论来说，是可以计算了
但是它没有任何的实用价值，只能是浪费时间学习
2，那两颗2K不是什么反馈电阻，它并没有和输入构成关联，不能稳定工作状态
3，Ib=Ic+Ia (KCL 定律)
一个支点流出的电流等于流入电流总和
http://hibaiducom/solank/blog/item/acd0fe45716b588cb2b7dc18html
三极管各种电路中的各种作用
静态分析就是工作点设置及分析，就是谋求最佳工作点，也叫做临界工作点，其目的是使放大器的不失真输出电压幅度(动态范围)能达到最大。
动态分析是用交流等效电路寻求交流电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等技术指标的过程。
静态分析为动态分析服务。因为如果静态分析找不到临界工作点和最大不失真输出电压幅度，动态分析获得的电压放大倍数再大，这个放大器都没有价值，动态分析就成了马后炮。
三极管电路图怎么看的？
三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的电流放大作用。刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。根据三极管的作用我们分析它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管的作用还有电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器，此外三极管还有稳压的作用。
三极管的详细工作原理
简单三极管开关：电路如图，电阻RC是LED限流用电阻，以防止电压过高烧坏LED（发光二极管），将输入信号 VIN 从0 调到最大 (等分为约20 个间隔)，观察并记录对的 VOUT 以及LED 的亮度。当三极管开关为断路时，VOUT =VCC =12 V，LED 不亮。当三极管开关通路时，VOUT = 02V ，LED 会亮。改良三极管开关：因为三极管由截止区过度到饱和区需经过线性区，开关的效果不会有明确的界线。为使三极管开关的效果明确，可串接两三极管，电路如图六。同样将输入信号 VIN 从0 调到最大 (等分为约20 个间隔)，观察并记录对应的VOUT 以及LED 的亮度。
补充：
三极管：
半导体三极管(Bipolar Junction Transistor)，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，也是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。
晶体三极管：
双极型晶体管，晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成辐值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。
PNP三极管电路分析？
三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种电流控制电流的半导体器件。
三极管的工作原理分为理论原理和放大原理两方面（具体如下）：
理论原理：
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e （Emitter）、基极b (base)和集电极c (Collector)。如右图所示
当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo根据电流连续性原理得：
Ie=Ib+Ic
这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
β1=Ic/Ib
式中：β1--称为直流放大倍数，
集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
β= △Ic/△Ib
式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
放大原理：
1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
电路三极管导通分析？
BG11在电路中是一个有源降压滤波器(这里的降压指电压的绝对值)。将负电源30V变成负20V供前级用。集电极-基极电阻R31通过分压使基极电压为203V，由于BG11为锗管，发射极与基极之间电压衡定相差03V。所以发射极电压衡为负20V。只要基极电压不变，发射极电压也不变。
一个简单三极管控制LED闪动 电路分析
要想Q7导通，需要有基极电流，这个电流将是Q3集电极电流的一部分；
所以，Q3导通了才要集电极电流，Q3的导通也需要基极电流；
这里只有输入信号MCU_OUT_FDF为高电平时才能给Q3提供基极电流；
其实还是必须从电路工作原理来解释你的问题。通电瞬间，电流通过33R以及22R和发光管向10u充电PNP管同时E、B导通，330K电阻上产生压降，PNP管集电极输出电流通过1K电阻和10n电容流经NPN管B、E，使NPN管导通下面LED点亮，NPN管集电极电流增加，由于33K电阻上的压降与22R的压降差不足以点亮上面的发光管，所以，只有下面的一只LED亮。
NPN管导通后其集电极电位下降，10u电容由PNP管基极电流反向充电，当电压被充到最高时，PNP管基极再无电流通过，PNP管截止，NPN管也截止，下面的LED变暗，电流变化完成一次循环，如此重复。
值得一提的是，上面的发光管由于始终无法得到足够电流，应该不会发光，即使发光，较下面的LED也要暗很多，所以，此电路设计不太理想。
10n电容是在NPN管导通开始时加快其饱和使下面的LED快速点亮。
