MOS管内阻很小,普通的有 40mΩ 左右,导通电流支持20A;好的能到4mΩ左右,导通电流支持80A;
10A电流 在普通的 MOS管上产生的压降为 0.4V,不足以影响负载吧?门极导通电压为2.1V~4V,标称3V;3.7V的锂电池,饱和是4.2V,选择3.3V工作的单片机,足够驱动了。
真正要考虑的是电池的负载能力,10A的瞬态输出,及3A的持续输出,电池负载能力不足的话,电压会瞬间跌落,很可能低于3V。解决方法:
①增大电源电路的退耦电容容量;
优点:在电池电压下跌的瞬间,释放大量电量维持电压,保持单片机正常工作;
缺点:治标不治本,电容电量来自电池,充电时会消耗大量电池电量,需要常充电的电池;
②采用负载输出能力强的电池;
优点:从根本上解决负载能力不足导致电压下跌的现象;
缺点:造价不便宜;
输入是2-3脚,功能与普通的光耦一样,只是速度上高一点
输出是6-7脚,驱动IGBT比较适合,里面是集成电路,电流稍微比普通光耦电流大一些,所以它上下(VCC,VEE)是适合宽电压
其实就是说它的驱动能力强,带保护,宽电压,适合高频率,耐压高,适合IGBT
驱动MOS嘛,你用521就行了,比较灵活,还不贵