电容降压电源电路图如下：
器件选择?
1. 电路设计时，应先测定负载电流的准确值，然后参考示例来选择降压电容器的容量。因为通过降压电容C1向负载提供的电流Io，实际上是流过C1的充放电电流 Ic。C1容量越大，容抗Xc越小，则流经C1的充、放电电流越大。当负载电流Io小于C1的充放电电流时，多余的电流就会流过稳压管，若稳压管的最大允许电流Idmax小于Ic-Io时易造成稳压管烧毁。
2. 为保证C1可靠工作，其耐压选择应大于两倍的电源电压。
3. 泄放电阻R1的选择必须保证在要求的时间内泄放掉C1上的电荷。
开关电源减小初级电容可以降压的
开关电源的降压包含两个地方。1，变压器的初次极匝比。2，功率MOS开关的占空比。
通过匝比将电压降低到一定值，再通过MOS调节占空比将电压稳定在5V左右。
注意：降压主要是匝比实现的，占空比主要是稳压作用。另外，为了使MOS开关的速度尽量均匀，占空比已0.45为基准点，左右变化，这样MOS导通和关断的间隔就不会相差太大，否则要是0.8的占空比的话，留给关断的时间只有0.2，变化就很快，刚关断瞬间就导通了，这样工作会损坏MOS管。另外还有一个原因，如果占空比大于0.5，相应的匝比就会更大，反射电压就会变大，初级MOS管的电压就会更高，MOS应力就高了，初级MOS的耐压基于成本考虑，一般是600或者650以下。所以，我们会以占空比0.45为基准，计算匝比时，也将0.45计算在内，比如将220V输入电压按匝比降到10V，再算上占空比0.45，就是5V了。
电源设计的重点在变压器上，因为其设计的地方多，可操作空间很大，匝比的选择也要考虑到初级MOS管的Vds，这里不是说尖峰电压，而是反射电压，输入电压加反射电压的电压值也要控制，不能太高，而反射电压就跟匝比有关系，所以要控制匝比，不能让反射电压太高。当然这是在满足降压要求的情况下来设计匝比，要是匝比必须那么大，不然就不满降压，那就要换MOS，换用耐压更高的MOS。当然MOS耐压高，相应价格也高。
