MOS管最大持续电流=MOS耐电压/MOS内阻值。
有许多参数会影响开关的性能，但最重要的是栅极/漏极，栅极/源极和漏极/源极电容。
这些电容器在设备中产生开关损耗，因为每次开关时都会对其充电。
因此，降低了MOS晶体管的开关速度，并且还降低了器件效率。
为了计算开关过程中器件的总损耗，需要计算导通期间的损耗（Eon）和关断期间的损耗（Eoff）。
MOSFET开关的总功率可以用以下公式表示：Psw
=（Eon
Eoff）×开关频率。
栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。
扩展资料
1：雪崩失效(电压失效)，也就是我们常说的漏源间的BVdss电压超过MOSFET的额定电压，并且超过达到了一定的能力从而导致MOSFET失效。
2：SOA失效(电流失效)，既超出MOSFET安全工作区引起失效，分为Id超出器件规格失效以及Id过大，损耗过高器件长时间热积累而导致的失效。
3：体二极管失效：在桥式、LLC等有用到体二极管进行续流的拓扑结构中，由于体二极管遭受破坏而导致的失效。
搜狗百科-mos管
断路器储能电容电压低，合动作电压，是断路器最基本的参数。
断路器的最低分，合动作电压，是断路器最基本的参数
断路器低电压分、合闸试验标准是标准规定： 电磁机构分闸线圈和合闸接触器线圈最低动作电压不得低于额定电压的30%，不得高于额定电压的65%，合闸线圈最低动作电压不得低于额定电压的80%～85%。断路器的分、合闸动作都需要有一定的能量，为了保证断路器的合闸速度，规定了断路器的合闸线圈最低动作电压，不得低于额定电压的80%～85%。对分闸线圈和接触器线圈的低电压规定是因这个线圈的动作电压不能过低，也不得过高。如果过低，在直流系统绝缘不良，两点高阻接地的情况下，在分闸线圈或接触器线圈两端可能引入一个数值不大的直流电压，当线圈动作电压过低时，会引起断路器误分闸和误合闸；如果过高，则会因系统故障时，直流母线电压降低而拒绝跳闸。
