沟道的选择
为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道场效应管。在典型的功率应用中,当一个场效应管接地,而负载连接到干线电压上时,该场效应管就构成了低压侧开关。在低压侧开关中,应采用N沟道场效应管,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当场效应管连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道场效应管,这也是出于对电压驱动的考虑。
电压和电流的选择
额定电压越大,器件的成本就越高。根据实践经验,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使场效应管不会失效。就选择场效应管而言,必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS。设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。不同应用的额定电压也有所不同;通常,便携式设备为20V、FPGA电源为20~30V、85~220VAC应用为450~600V。
LM317的最小输出电压约为1.25V,那么最小输入就必须在3.25V以上,最大输入电压为40V。
78和79都是1A的,317是1.5A的,78和79的区别不是电流的区别,78是正电压,79是负电压,比如正负12V双电压输出,就必须使用7812和7912,输入电压越高,一点点的输出电流都会使IC发热,如果温度过高就要注意了。
7812有最高输入电压35V,也有40V的,无论7812或317,输入比如说35V,都可以使输出电压为12V或1.25-33V可调。
扩展资料:
注意事项:
1、额定电压越大,器件的成本就越高,额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护,使MOSFET不会失效。
2、必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压,即最大VDS.设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。
3、不同应用的额定电压也有所不同。通常便携式设备为20V、FPGA电源为20-30V、85-220VAC应用为450-600V。
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