区别：
霍尔器件是一种磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔器件以霍尔效应为其工作基础。?霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
原理：
有霍尔型是通过电机的霍尔型号来判断当前电机运动的状态，然后控制器根据霍尔所采集的信号再控制控制器的三相输出来给电机供电，让电机持续正常的工作。
无霍尔型的是电机无霍尔传感器，控制器通过电流采集来判断电机当前的运动状态，然后控制控制器输出来给电机供电，让电机争产工作。
作用：
有霍尔型电机和控制器在使用时稳定，启动时扭矩大，无异响。
无霍尔型电机和控制器在使用时因技术问题，目前还不是很稳定，特别是在起步阶段，稳定性差，动力不够。
在电动自行车中有多处利用了霍尔传感器，如调速转把，刹把，以及无刷电机中等。
扩展资料：
霍尔传感器是根据霍尔效应制作的一种磁场传感器。霍尔效应是磁电效应的一种，这一现象是霍尔（A.H.Hall，1855—1938）于1879年在研究金属的导电机构时发现的。后来发现半导体、导电流体等也有这种效应。
而半导体的霍尔效应比金属强得多，利用这现象制成的各种霍尔元件，广泛地应用于工业自动化技术、检测技术及信息处理等方面。霍尔效应是研究半导体材料性能的基本方法。通过霍尔效应实验测定的霍尔系数，能够判断半导体材料的导电类型、载流子浓度及载流子迁移率等重要参数。
由霍尔效应的原理知，霍尔电势的大小取决于：Rh为霍尔常数，它与半导体材质有关；I为霍尔元件的偏置电流；B为磁场强度；d为半导体材料的厚度。
对于一个给定的霍尔器件，当偏置电流?I?固定时，UH将完全取决于被测的磁场强度B。一个霍尔元件一般有四个引出端子，其中两根是霍尔元件的偏置电流?I?的输入端，另两根是霍尔电压的输出端。如果两输出端构成外回路，就会产生霍尔电流。
一般地说，偏置电流的设定通常由外部的基准电压源给出；若精度要求高，则基准电压源均用恒流源取代。为了达到高的灵敏度，有的霍尔元件的传感面上装有高导磁系数的镀膜合金；这类传感器的霍尔电势较大，但在0.05T左右出现饱和，仅适用在低量限、小量程下使用。
在半导体薄片两端通以控制电流I，并在薄片的垂直方向施加磁感应强度为B的匀强磁场，则在垂直于电流和磁场的方向上，将产生电势差为UH的霍尔电压。
磁场中有一个霍尔半导体片，恒定电流I从A到B通过该片。在洛仑兹力的作用下，I的电子流在通过霍尔半导体时向一侧偏移，使该片在CD方向上产生电位差，这就是所谓的霍尔电压。
霍尔电压随磁场强度的变化而变化，磁场越强，电压越高，磁场越弱，电压越低，霍尔电压值很小，通常只有几个毫伏，但经集成电路中的放大器放大，就能使该电压放大到足以输出较强的信号。若使霍尔集成电路起传感作用，需要用机械的方法来改变磁感应强度。
用一个转动的叶轮作为控制磁通量的开关，当叶轮叶片处于磁铁和霍尔集成电路之间的气隙中时，磁场偏离集成片，霍尔电压消失。这样，霍尔集成电路的输出电压的变化，就能表示出叶轮驱动轴的某一位置，利用这一工作原理，可将霍尔集成电路片用作用点火正时传感器。霍尔效应传感器属于被动型传感器，它要有外加电源才能工作，这一特点使它能检测转速低的运转情况。
参考资料：
霍尔电压传感器生产厂家很多，目前市场占有率最高的应该是LEM公司。
LEM的霍尔电压传感器其官网上公布的用于工业领域的有12000V的，其它领域最高电压是6400V。但是12000V的传感器在LEM网站上找不到。
至于精度，6400V的传感器lv 200-aw 2 6400标称精度1级，带宽小于1kHz。测量范围0~±9600V。9600V是指峰值，用于交流测试，有效值范围（以正弦波为例）约为0~6800V（9600/1.414）。
LEM另外还有一种传感器，输入为小电流信号，实际使用时外接电阻，将电压信号转变为电流信号再测试，其标称最高测试电压也是5000V，有用户用到了10000V。其标称精度为1.5级，如果加上外接的高压大功率电阻的影响，精度更低。这种应用很危险，超过标称电压两倍，一旦一次高压击穿传感器，将威胁生命财产安全。
AnyWay的宽带传感器，最高测试电压可达15kV，75V~15kV范围内精度等级为0.2级，可以满足你的技术指标要求，其原理不是基于霍尔传感器原理。
