高频干扰几个并联电容首先能滤掉一部分。
如系统发生电压升高：
- D4稳压管两端电压不变，既PNP基极电压不变。
- 但电流增大也就是R1两端电压升高，既PNP发射极与基极电压差变大。这时PNP导通能力变大或者导通。（这样会把一部分电流分流出去，分到R4上）
- 由于分流到R4，两端电压升高（栅极电压升高），能起到抑制P-MOS导通能力。既可以限制电流，电压升高。
如系统发生电压偏低：
- C4储能通过二极管释放能起到稳压作用。
而且终端芯片应该也是稳压芯片。它本身能在一定的电压浮动范围内可以稳定输出电压。
给你参考：
当5V存在时，Q1导通Q2截止，那么Q3截止，反之，Q1截止Q2导通，Q导通；
另外给个技巧点的方法（查了下Q3手册），只是担心Q3导通不够完全，你去试试吧；
在你原电路图中，发射极上再串联个电阻，如图，其他不变，目的是提升G点电压，使源栅电压小于夹断电压，从而使得控制端输入5V时，场效应管截止，输入0V时导通：
