硅光电倍增管的原理

核心提示每个硅光电倍增管由大量的(几百到几千个)雪崩二极管(APD)单元组成,每一个单元由一个APD和一个大阻值淬灭电阻串联而成,这些微元并联成一个面阵列。为硅光电倍增管加上反向偏压(一般是几十伏)后,每个微元的APD耗尽层有很高的电场,此时若外界

每个硅光电倍增管由大量的(几百到几千个)雪崩二极管(APD)单元组成,每一个单元由一个APD和一个大阻值淬灭电阻串联而成,这些微元并联成一个面阵列。为硅光电倍增管加上反向偏压(一般是几十伏)后,每个微元的APD耗尽层有很高的电场,此时若外界有光子打进来,会和半导体中的电子空穴对发生康普顿散射,打出电子或空穴(这句话不精确,只为方便理解),高能的电子和空穴随即在电场中加速,打出大量的次级电子和空穴,即雪崩。此时每个微元电路中电流突然变大,在淬灭电阻R上降落的电压也变大,APD中的电场瞬间变小,即APD输出一个瞬时电流脉冲后雪崩停止,不同微元的淬灭电阻阻值相同,所以理论上讲每个微元会输出等大的脉冲。APD是模拟器件,但宏观来看每个微元都是逻辑单元,有信号输出是“1”,没有信号就是“0”。在硅光电倍增管的动态范围内,它输出电流的大小就和发生雪崩的微元数成正比。

一瓦特表法测量三相对称负载无功功率的原理

原理中导线电阻为0,但实验中导线电阻不得不计,同时对导线电阻有没有计入,所以产生了微小的误差,虽然有误差,但也不会推翻叠加定理。

电路的叠加定理?(Superposition theorem)指出:对于一个线性系统,一个含多个独立源的双边线性电路的任何支路的响应(电压或电流),等于每个独立源单独作用时的响应的代数和,此时所有其他独立源被替换成他们各自的阻抗。

扩展资料:

叠加定理简介:

1、在所有其他独立电压源处用短路代替(从而消除电势差,即令V = 0;理想电压源的内部阻抗为零(短路))。

2、在所有其他独立电流源处用开路代替 (从而消除电流,即令I = 0;理想的电流源的内部阻抗为无穷大(开路))。

叠加定理在电路分析中非常重要,可以用来将任何电路转换为诺顿等效电路或戴维南等效电路。该定理适用于由独立源、受控源、无源器件(电阻器、电感、电容)和变压器组成的线性网络(时变或静态)。

应该注意的另一点是,叠加仅适用于电压和电流,而不适用于电功率。换句话说,其他每个电源单独作用的功率之和并不是真正消耗的功率。要计算电功率,我们应该先用叠加定理得到各线性元件的电压和电流,然后计算出倍增的电压和电流的总和。

1、对可三相四线制供电的三相星形联接的负载(即Y0接法),可用一只功率表测量各相有功功率PA、PB、PC,三相功率之和(ΣP=PA+PB+PC)即为三相负载的总有功功率(所谓的一瓦特表法就是用一只单相功率表去分别测量各相有功功率)。

2、实验线路如图所示。若三相负载是对称的,则只需测量一相的功率即可,该相功率乘以3即得三相总有功功率。

3、三相三线制电系统中,不论三相负载是否对称,也不论负载是星接还是角接(即△接法),都可用二瓦特表法测量三相负载的总有功功率。测量线路如图所示。

4、若负载为感性或容性,且当相位差Φ>60°时,线路中的一只功率表指针将反偏(对于数字式功率表将出现负读数),这时应将功率表电流线圈的两个端子调换(不能调换电压线圈端子),而读数应记为负值。

5、对于三相三线制供电的三相对称负载,可用一瓦特表法测得三相负载的总无功功率Q,测试原理如图所示。图示功率表读数的3倍,等于对称三相电路总的无功功率。除了上图给出的一种连接法(IU、UVW)外,还有另外两种连接法,即可接成(IV、UUW)或(IW、UUV)

三相电路功率测试

一瓦特法只能用于三相对称电路的功率测试,三相功率之和等于单相功率读数的三倍。

二瓦特法采用两个功率表测量三相电路的三相总功率,三相功率之和等于两个单相功率表的读数之和。其理论依据是基尔霍夫电流定律,适用于三相三线制系统的三相功率测试,与系统是否对称无关

 
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