MOS管开关电路是利用MOS管栅极（g）控制MOS管源极（s）和漏极（d）通断的原理构造的电路。因MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路也主要分为两种。
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V.如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或VCC可以看做是一个电容，对于一个电容来说，串的电阻越大，栅极达到导通电压时间越长，MOS处于半导通状态时间也越长，在半导通状态内阻较大，发热也会增大，极易损坏MOS，所以高频时栅极栅极串的电阻不但要小，一般要加前置驱动电路的。
MOS开关电路
MOS和三极管相像，但是三极管属于电流驱动型，而MOS属于电压驱动型，因此在控制的时候需要考虑MOS的G端电压。一般的N沟道MOS在3V往上就可以导通，但是为了考虑可靠性，往往是加上一个电阻，接到12V左右，这是我们常用的。如图我们产品中的一个图，是电机驱动，用的就是MOS的开关特性。另外，数字电路中所用到的三极管和MOS就是一个开关，因为数字电路只有0和1。图中的PWM是单片机IO端口直接过来的，0V和5V可变。后面一个推挽电路，然后给MOS。
对于NMOS，它是无法传输强1的。NMOS想要传输高电平，首先它要开启，那么栅源电压一定要大于VTN，也就是说在这个或门电路中，NMOS的源端作为输出，它无法高于栅的电压。楼主这里输入信号用的1.8V吧，当输入V1、V2是10或者01的时候，上面的NMOS网络只有一只管子导通，下面的P网络一只开启另外一只截止，对于上面的N网络，导通的这只单管，它的源端的输出无法高于1.8-VTN。所以10和01的时候输出在1.4V左右。输入为11时，按道理达不到1.8V啊，如果是1.8v,2个NMOS早就关闭了，沟道不会形成反型层（这时候衬偏也是1.8V呢，阈值电压会比VTN0大的），但是波形上怎么会是1.8V？楼主查一下你用的工艺库文件吧，看看具体的参数。对于11输入我感觉，这几只MOS管没有工作在正常的开关状态啊。楼主可以把MOS的其它端子也测一下，看看波形的变化。至于毛刺，当信号从01到10改变的时候，上面的那只PMOS由关断到开启，而下面的PMOS从开启到关断，这样就相当于多了一个悬空节点，而这个悬空节点需要充电（给节点电容充电），也就是说上面那个PMOS有短暂的电流流过，这会对输出造成影响。当两个输入为00的时候，输出不为零，因为PMOS不能传输强0，PMOS要开启，那么PMOS源端的电压一定要比栅端高一个阈值最少，所以输出低电平最少为VTP的绝对值。一般电路没有这么应用的，都是P在上N在下，楼主要真想用或门，在或非门后面接一个反相器，才两只管子嘛，既能达到全摆幅又能增加电路的驱动能力~~
