集成电路工艺主要分为哪几类
集成电路工艺主要分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路3类。
半导体集成电路是采用半导体工艺技术,在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件的集成电路;膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上,以“膜”的形式制作电阻、电容等无源元件的集成电路。
无源元件的数值范围可以做得很宽,精度可以做得很高。技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件,因而膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中,多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件,使之构成一个整体,这就是混合集成电路。
根据膜的厚薄不同,膜集成电路又分为厚膜集成电路和薄膜集成电路两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。
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1、按用途分类
集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。
2、按应用领域分类
集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。
3、按外形分类
集成电路按外形可分为圆形、扁平型和双列直插型。
什么是28nm集成电路工艺
28nm集成电路工艺:它指的是晶体管门电路的尺寸,现阶段主要以纳米为单位,制造工艺的提高,意味着显示芯片的体积将更小、集成度更高,可以容纳更多的晶体管和中央处理器一样,显示卡的核心芯片,也是在硅晶片上制成的。
CPU制作工艺指的是在生产CPU过程中,现在其生产的精度以纳米来表示,精度越高,生产工艺越先进。在同样的材料中可以容纳更多的电子元件,连接线也越细,有利于提高CPU的集成度。
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制造工艺详解:
1、硅提纯
生产CPU与GPU等芯片的材料是半导体,现阶段主要的材料是硅Si,这是一种非金属元素,从化学的角度来看,由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处,所以具有半导体的性质,适合于制造各种微小的晶体管,是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。
在硅提纯的过程中,原材料硅将被熔化,并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种,以便硅晶体围着这颗晶种生长,直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米,而CPU或GPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。
2、切割晶圆
硅锭造出来了,并被整型成一个完美的圆柱体,接下来将被切割成片状,称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU与GPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片,并将其划分成多个细小的区域,每个区域都将成为一个处理器的内核。
3、影印
在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻物质,紫外线通过印制着处理器复杂电路结构图样的模板照射硅基片,被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域不受到光的干扰,必须制作遮罩来遮蔽这些区域。
4、蚀刻
这是CPU与GPU生产过程中重要操作,也是处理器工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上,使之曝光。
然后,曝光的硅将被原子轰击,使得暴露的硅基片局部掺杂,从而改变这些区域的导电状态,以制造出N井或P井,结合上面制造的基片,处理器的门电路就完成了。
百度百科-制造工艺
集成电路制造五个步骤
半导体产业开始于上世纪。随着1947年固体晶体管的发明,半导体行业已经获得了长足发展,之后的发展方向是引入了集成电路和硅材料。集成电路将多个元件结合在了一块芯片上,提高了芯片性能、降低了成本。随着硅材料的引入,芯片工艺逐步演化为器件在硅片上层以及电路层的衬底上淀积。
芯片制造主要有五大步骤:硅片制备、芯片制造、芯片测试与挑选、装配与封装、终测。
芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天
芯片制造的五大步骤
硅片制备。
首先是将硅从矿物中提纯并纯化,经过特殊工艺产生适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。最后按照不同的定位边和沾污水平等参数制成不同规格的硅片。本文讨论的主要内容就是硅片制备环节。
芯片制造。
裸露的硅片到达硅片制厂,经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等步骤,硅片上就刻蚀了一整套集成电路。芯片测试/拣选。芯片制造完后将被送到测试与拣选区,在那里对单个芯片进行探测和电学测试,然后拣选出合格的产品,并对有缺陷的产品进行标记。
装配与封装。
硅片经过测试和拣选后就进入了装配和封装环节,目的是把单个的芯片包装在一个保护壳管内。硅片的背面需要进行研磨以减少衬底的厚度,然后把一个后塑料膜贴附在硅片背面,再沿划线片用带金刚石尖的锯刃将硅片上每个芯片分开,塑料膜能保持芯片不脱落。在装配厂,好的芯片被压焊或抽空形成装配包,再将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。
终测。
为确保芯片的功能,需要对每一个被封装的集成电路进行测试,以满足制造商的电学和环节的特性参数要求。
硅片制作的工艺流程
硅片制备之前是制作高纯度的半导体级硅,也被称为电子级硅。制备过程大概分为三步,第一步是通过加热含碳的硅石来生成气态的氧化硅SiO;第二步是用纯度大概98%的氧化硅,通过压碎和化学反应生产含硅的三氯硅烷气体;第三步是用三氯硅烷经过再一次的化学过程,用氢气还原制备出纯度为99.9999999%的半导体级硅。
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半导体硅的生产过程
对半导体级硅进一步加工得到硅片的过程被称为硅片制备环节。硅片制备包括晶体生长、整型、切片、抛光、清洗和检测等步骤,通过单晶硅生长、机械加工、化学处理、表面抛光和质量检测等环节最终生产出符合条件的高质量硅片。
集成电路工艺主要分哪几类
分类方法很多
按功能分;线性电路、数字电路。
按电路组成分;TTL电路、CMOS电路。
按集成度分;小规模、大规模。
还有按运行速度分、按功耗分、按管脚分等等。
集成电路制造包括哪些工艺?
IC制造技术有两种,一种是单片技术,另一种是混合技术。在单片技术中,所有电子元件及其互连都一起制造成单个硅芯片。该技术适用于大规模生产相同的IC。单片IC便宜但可靠。
在混合IC中,单独的组件附着在陶瓷物质上,并通过导线或金属化图案相互连接。
ic是什么意思如下:
1,集成电路(integratedcircuit,缩写:IC)。
2,二,三极管。
3,特殊电子元件。
IC芯片的产品分类可以有下面分类方法:
一,集成电路的种类一般是以内含晶体管等电子组件的数量来分类。
SSI(小型集成电路),晶体管数10~100个。
MSI(中型集成电路),晶体管数100~1000个。
LSI(大规模集成电路),晶体管数1000~100000。
VLSI(超大规模集成电路),晶体管数100000以上。
二,按功能结构分类。
集成电路按其功能、结构的不同,可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。
三,按制作工艺分类。
集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和膜集成电路。膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。
四,按导电类型不同分类。
集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。双极型集成电路的制作工艺复杂,功耗较大,代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。
单极型集成电路的制作工艺简单,功耗也较低,易于制成大规模集成电路,代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。
五,按用途分类。
集成电路按用途可分为电视机用集成电路。音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑(微机)用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。
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IC检测常识
检测前要了解集成电路及其相关电路的工作原理 检查和修理集成电路前首先要熟悉所用集成电路的功能、内部电路、主要电气参数、各引脚的作用以及引脚的正常电压、波形与外围元件组成电路的工作原理。如果具备以上条件,那么分析和检查会容易许多。
测试不要造成引脚间短路 电压测量或用示波器探头测试波形时,表笔或探头不要由于滑动而造成集成电路引脚间短路,最好在与引脚直接连通的外围印刷电路上进行测量。任何瞬间的短路都容易损坏集成电路,在测试扁平型封装的CMOS集成电路时更要加倍小心。
严禁在无隔离变压器的情况下,用已接地的测试设备去接触底板带电的电视、音响、录像等设备 严禁用外壳已接地的仪器设备直接测试无电源隔离变压器的电视、音响、录像等设备。