817光耦详细参数

核心提示光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。此外,传输数字信号时还应考虑上升时间、下降时间、延迟

光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。此外,传输数字信号时还应考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的一个重要参数,通常用DC电流传输比来表示。当输出电压保持不变时,它等于DC输出电流IC和DC输入电流IF的百分比。光电耦合器主要用于在输入电路和输出电路之间提供隔离。在设计电路时,必须遵循以下原则:选用的光电耦合器件必须满足国内外关于隔离击穿电压的标准;英国Isocom公司和美国摩托罗拉公司生产的4N××系列(如4N25、4N26、4N35)光耦在国内广泛使用。鉴于这种光耦的开关特性和线性度差,适合传输数字信号(高低电平),可用于单片机的输出隔离。所选的光耦合器必须具有高耦合系数。

 
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