你错在了电路真正的反馈是什么，首先这个并不是一个典型的反相输入的放大电路，也就是说不可以把并联后再串联的R2//R4+R3直接反馈回来，而是单独的R2所在的支路电流进行了反馈。不知道我这样说你明白了没。重点在与输入电流I1相等的是I2而不是I3
基本放大电路要处于放大状态是这样设置的：
1、发射结正偏，集电结反偏。
这里的发射结正偏一般大于0.7V就可以了，没必要设置太大，因为稍微大于0.7V的正偏电压，就已经足够三极管发射结正向导通了，至于集电结的反偏电压不能太小，至少要能够提供足够的多数载流子，当然放大状态中的三极管，其反偏电压也不能太大，否则三极管很容易接近饱和区。
另外三极管处于放大状态时，集电结上的反偏电压(直流电压+交流电源)是变化的，此时集电结的势垒厚度也将随着变化，这就会导致基区宽度会发生变化。
2、从基本原理说：发射结加正偏才能提供可控的撞击电子，集电结加反偏才能引发三极管内部雪崩效应，最终的外部使用效果就是使三极管实现可控的电流分配功能，这就是所谓的三极管放大功能。
3、晶体管放大应用的必要条件：
BJT在放大状态工作时，它的特点就是输出电流与输入电流成正比，其比例系数就是电流放大系数。
BJT是由两个PN结构成的，当要进行放大工作时，就必须要有一个PN结可注入载流子，而另一个PN结要能够收集载流子。从而，晶体管放大应用的必要条件为：
① 发射结正偏，以保证发射结有少数载流子注入到基区；
② 集电结反偏，以保证集电结能够很好地收集在基区中扩散过来的少数载流子，并从集电极输出电流。
或许可以说，反偏电压大于正偏电压，但这种说法并不十分严格。
处于放大状态的三极管的几点补充：
内部条件：发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，基区厚度要很薄；
外部条件：发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；
主要参数有电流放大倍数（直流和交流），反向饱和电压，反向击穿电压等等。
在三极管放大电路中。给基极加正向偏置的目的是放大0.7V以下的小信号。
