由于闪存颗粒中存储密度存在差异，所以闪存又分为SLC、MLC、TLC和QLC。简单的说，NAND闪存的基本原理，QLC容量大，但性能也变差了。
SLC：每个Cell单元存储1bit信息，也就是只有0、1两种电压变化，结构简单，电压控制也快速，反映出来的特点就是寿命长，性能强，P/E寿命在1万到10万次之间，但缺点就是容量低而成本高，毕竟一个Cell单元只能存储1bit信息。
MLC：每个cell单元存储2bit信息，需要更复杂的电压控制，有00,01,10,11四种变化，这也意味着写入性能、可靠性能降低了。其P/E寿命根据不同制程在3000-5000次不等。
TLC：每个cell单元存储3bit信息，电压从000到001有8种变化，容量比MLC再次增加1/3，成本更低，但是架构更复杂，P/E编程时间长，写入速度慢，P/E寿命也降至1000-3000次，部分情况会更低。寿命短只是相对而言的，通常来讲，经过重度测试的TLC颗粒正常使用5年以上是没有问题的。
QLC或者可以叫4bit MLC，电压有16种变化，但是容量能增加33%，就是写入性能、P/E寿命与TLC相比会进一步降低。具体的性能测试上，美光有做过实验。读取速度方面，SATA接口中的二者都可以达到540MB/S，QLC表现差在写入速度上。
因为其P/E编程时间就比MLC、TLC更长，速度更慢，连续写入速度从520MB/s降至360MB/s，随机性能更是从9500 IOPS降至5000 IOPS，损失将近一半。
分类
按种类分
U盘、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、记忆棒、XD卡、MS卡、TF卡、PCIe闪存卡。
按品牌分
矽统（SIS）、金士顿、索尼、LSI、闪迪、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者、纽曼、威刚、联想、台电、微星、SSK、三星、海力士。
以上内容参考：百度百科-闪存
分三部分来回答你的问题：一、UFS和eMMC的结构；二、NAND Flash的工艺；三、两者的组合关系给消费者带来的影响
一、UFS2.0和eMMC的结构如下图
从图上看出，都是一个控制器+NAND Flash芯片组成新的存储器，给各种消费类电子提供存储。
二、NAND Flash的工艺
NAND Flash有SLC、MLC、TLC等工艺，具体为：
1、SLC：Single-Level Cell 单层单元，SLC的特点是成本高、容量小、速度快，而MLC的特点是容量大成本低，但是速度慢。SLC闪存的优点是复写次数高达100000次，比MLC闪存高10倍。
2、MLC：Multi-Level Cell多层单元的每一个单元存储两位，而传统的SLC仅仅能存储一位。MLC技术有显著的密度优越性，然而，与SLC相比(表3)，其速度或可靠性稍逊。因此，SLC被用于大多数媒体卡和无线应用，而MLC器件通常被用于消费电子和其它低成本产品。
3、TLC：Triple Level Cell，也就是三层单元。同样的晶圆体积，存储容量可以翻几倍，但价格几乎没变，但擦写寿命变为MLC的1/20，约500-1000次擦写寿命。
三、两者的组合关系给消费者带来的影响
来看一下某厂商的UFS2.0芯片的组成：
她是由8片64Gbit的15nm工艺的NAND Flash组成，但没有具体说明是MLC还是TLC，可以肯定的是，觉得不会是SLC，成本太高。
再来看eMMC5.1芯片的组成：
她是由2片128Gb的15nm工艺的NAND Flash组成，也没有具体说是MLC还是TLC。
结论：在消费类电子对存储量需求暴增的今天，消费者其实不用具体去关心MLC还是TLC，虽然他们之前存在价格和性能差异，你花钱购买你认为值的产品就行了。技术的细节，都是有UFS2.0及eMMC5.1的各控制芯片厂商来帮消费者把关的。专业的事，留给专业的人去做吧。
