IR2110使用MOS管

核心提示Hin与Lin是互为反相的逻辑信号,最高电平=逻辑电路的电源值 VDD(9脚);当Hin为高电平时输出端Ho也为高电平,反之,Ho为低电平;可以连接到单片机上,Hin与Lin要同时连接,记住他们是互为反相的逻辑信号。com接地,高端输出搭配

Hin与Lin是互为反相的逻辑信号,最高电平=逻辑电路的电源值 VDD(9脚);

当Hin为高电平时输出端Ho也为高电平,反之,Ho为低电平;

可以连接到单片机上,Hin与Lin要同时连接,记住他们是互为反相的逻辑信号。

com接地,高端输出搭配了自举电路,可以驱动高端MOS。需带一定负载才能给自举电容充电。记得设置死区。

IR2110采用HVIC 和闩锁抗干扰CMOS制造工艺,DIP14脚封装。

具有独立的低端和高端输入通道;

悬浮电源采用自举电路,其高端工作电压可达500V,dv/dt=±50V/ns,15V 下静态功耗仅116mW;输出的电源端(脚3,即功率器件的栅极驱动电压)电压范围10~20V;

逻辑电源电压范围(脚9)5~15V,可方便地与TTL,CMOS 电平相匹配,而且逻辑电源地和功率地之间允许有±5V 的偏移量;工作频率高,可达500kHz;开通、关断延迟小,分别为120ns 和94ns。

DC-DC升压即可,基本电路如下:升压电路的特点是开关管T1是和负载是并联的,实际上,如果5V电压是稳定的,单片机输出的占空比是一定的,输出电压也是稳定的,不用单片机AD模块测量输出电压

 
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