将微波功能电路用半导体工艺制作在砷化镓材料或其他半导体材料的芯片上的集成电路。用硅材料制作的微波电路工作于 300～3000吉赫频段，可以视为硅线性集成电路的扩展，不包括在单片微波集成电路之内。
砷化镓单片微波集成电路的制作工艺，是在半绝缘砷化镓单晶片上用外延生长或离子注入硅形成有源层；注入氧或质子产生隔离层（或适合产生隔离层的其他离子）；注入铍或锌形成PN结；通过电子束蒸发制作金属-半导体势垒;用亚微米光刻、干法刻蚀、钝化保护等工艺制作有源器件（如二极管、场效应晶体管）和无源元件（电感、电容、电阻和微带元件耦合器、滤波器、负载等）以及电路图形。电路设计也分为集总参数和分布参数两种形式。分布参数主要用于功率电路和毫米波集成电路。毫米波集成电路指工作在 30～300吉赫范围内的集成电路。
砷化镓比硅更适合于制作单片微波集成电路（包括超高速电路）主要是由于：①半绝缘砷化镓衬底的电阻率高达107～109欧·厘米，微波传输损耗小；②砷化镓电子迁移率比硅高5倍左右，工作频率高,速度快；③关键有源器件砷化镓金属－半导体场效应晶体管是一种多功能器件，抗辐照性能好，所以砷化镓单片微波集成电路在固态相控阵雷达、电子对抗设备、战术导弹、电视卫星接收、微波通信和超高速计算机、大容量信息处理方面有广泛的应用前景。
已研制成功并逐步实用的单片微波集成电路有：单片微波集成低噪声放大器、单片电视卫星接收机前端、单片微波功率放大器、单片微波压控振荡器等。这种电路的设计主要围绕微波信号的产生、放大、控制和信息处理等功能进行。大部分电路都是根据不同整机的要求和微波频段的特点设计的，专用性很强。
国内集成电路行业，目前的情况怎么样？前景如何？
集成电路产业是对集成电路产业链各环节市场销售额的总体描述，它不仅仅包含集成电路市场，也包括IP核市场、EDA市场、芯片代工市场、封测市场，甚至延伸至设备、材料市场。
集成电路产业不再依赖CPU、存储器等单一器件发展，移动互联、三网融合、多屏互动、智能终端带来了多重市场空间，商业模式不断创新为市场注入新活力。目前中国集成电路产业已具备一定基础，多年来中国集成电路产业所聚集的技术创新活力、市场拓展能力、资源整合动力以及广阔的市场潜力，为产业在未来5年 10年实现快速发展、迈上新的台阶奠定了基础。
如何正确看待集成电路行业？“缺芯”环境下对集成电路行业是挑战还是机遇？未来的发展趋势是什么？
01
行业发展现状
（一）集成电路产量持续增长
2016年以来，我国集成电路产量稳步提升。2020年我国集成电路产量达2612.6亿块，同比增长16.2%；2021年10月，我国集成电路产量达2975.4亿块，同比增长48.1%。
（二）集成电路产业规模高速增长
2016至2020年，中国集成电路产业销售额从4335.5亿元增长至8848亿元，2021年前三季度集成电路产业销售额已达到6858.6亿元。这主要受物联网、新能源 汽车 、智能终端制造和新一代移动通信等下游市场的驱动。在下游需求维持高景气度、产业政策大力支持、产业资本投入持续增加等因素作用下，中国集成电路行业规模持续保持高速增长。
（三）集成电路进出口逆差大
我国集成电路产业的自给率较低，尤其在中高端芯片领域，依赖进口的现象较为严重。2020年集成电路进出口量逆差2837亿块，进出口金额逆差2334.4亿美元。2021年前三季度，集成电路进出口量逆差2454.4亿块，进出口金额逆差2039.9亿美元。
（四）集成电路产业集中互动
集成电路主要集中在华东地区、西北地区、华南地区，2020年华东地区集成电路产量占比51.6%。江苏集成电路产量最高，占比32%。甘肃省、广东省、上海市集成电路产量占比超10%。
02
行业重点企业
（一）中芯国际
中芯国际集成电路制造有限公司（“中芯国际”，港交所股份代号：00981，上交所科创板证券代码：688981）及其子公司是世界领先的集成电路晶圆代工企业之一，也是中国内地技术最先进、配套最完善、规模最大、跨国经营的集成电路制造企业集团，提供0.35微米到14纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。
公司集成电路晶圆代工业务系以8英寸或12英寸的晶圆为基础，运用数百种专用设备和材料，基于精心设计的工艺整合方案，经上千道工艺步骤，在晶圆上构建复杂精密的物理结构，实现客户设计的电路图形及功能。
（二）紫光国微
紫光国芯微电子股份有限公司（股票代码：002049）是紫光集团有限公司旗下核心企业，是国内最大的集成电路设计上市公司之一。公司以智能安全芯片、特种集成电路为两大主业，同时布局半导体功率器件和石英晶体频率器件领域，为移动通信、金融、政务、 汽车 、工业、物联网等多个行业提供芯片、系统解决方案和终端产品。
（三）士兰微
杭州士兰微电子股份有限公司（股票代码：600460）是专业从事集成电路芯片设计以及半导体微电子相关产品生产的高新技术企业。主要产品包括集成电路、半导体分立器件、LED（发光二极管）产品等三大类。士兰微已经从一家纯芯片设计公司发展成为目前国内为数不多的以IDM模式（设计与制造一体化）为主要发展模式的综合型半导体产品公司。
（四）长电 科技
江苏长电 科技 股份有限公司是全球领先的集成电路制造和技术服务提供商，提供全方位的芯片成品制造一站式服务，包括集成电路的系统集成、设计仿真、技术开发、产品认证、晶圆中测、晶圆级中道封装测试、系统级封装测试、芯片成品测试并可向世界各地的半导体客户提供直运服务。
通过高集成度的晶圆级WLP、2.5D/3D、系统级（SiP）封装技术和高性能的FlipChip和引线互联封装技术，长电 科技 的产品、服务和技术涵盖了主流集成电路系统应用，包括网络通讯、移动终端、高性能计算、车载电子、大数据存储、人工智能与物联网、工业智造等领域。在中国、韩国及新加坡拥有两大研发中心和六大集成电路成品生产基地，业务机构分布于世界各地，可与全球客户进行紧密的技术合作并提供高效的产业链支持。
（五）全志 科技
珠海全志 科技 股份有限公司（股票代码：300458）成立于2007年，是卓越的智能应用处理器SoC、高性能模拟器件和无线互联芯片设计厂商。公司目前的主营业务为智能应用处理器SoC、高性能模拟器件和无线互联芯片的研发与设计。主要产品为智能应用处理器SoC、高性能模拟器件和无线互联芯片。公司产品广泛适用于智能硬件、平板电脑、智能家电、车联网、机器人、虚拟现实、网络机顶盒以及电源模拟器件、无线通信模组、智能物联网等多个产品领域。
03
区域布局情况
（一）北京市
以数字化引领高精尖产业发展。优化高精尖产业发展政策，促进重大项目落地。壮大信息技术、 健康 医疗、智能制造、区块链和先进计算等优势产业规模，做优做强集成电路、新材料等战略性新兴产业，推进高级别自动驾驶示范区建设，加快卫星航天、高端精密仪器和传感器等产业发展。实施产业基础再造和重大技术改造升级工程，落实中小企业数字化赋能行动方案，推动产业数字化智能化绿色化升级改造。
投资76亿美元的中芯京城逻辑芯片12英寸工厂、以及存储芯片制造12英寸工厂的建设；燕东8英寸生产线产能爬坡，赛微8英寸MEMS生产线进展。
（二）上海市
强化 科技 创新策源功能。加快打造国家战略 科技 力量、建设国家实验室，争取更多重大 科技 基础设施落户。加强国际协同创新，继续办好世界顶尖科学家论坛。全力实施三大“上海方案”（提示：集成电路、人工智能、生物医药），加快突破一批关键核心技术。加快培育一批“硬 科技 ”企业科创板上市。建设上海知识产权保护中心，打造国际知识产权保护高地。
强化高端产业引领功能。着力增强产业链供应链自主可控能力，大力构建一批战略性新兴产业增长引擎，开展民用飞机制造、高端医用材料等补链强链行动，推动集成电路、新能源 汽车 、高端装备等先进制造业集聚发展。
先进逻辑芯片（中芯国际、华虹集团）、格科CIS芯片工厂、闻泰车规芯片制造厂、积塔半导体工厂、新微半导体6英寸工厂的进展、EDA公司国微思尔芯、概伦IPO。
（三）天津市
加快提升自主创新原始创新策源能力。以 科技 创新三年行动计划为抓手，加快重大 科技 设施平台建设，高标准打造国家新一代人工智能创新发展试验区，加快建设新一代超级计算机、大型地震工程模拟研究设施、国家合成生物技术创新中心，推进国家应用数学中心、组分中药国家重点实验室等建设，谋划建设海河实验室。加快提升 科技 型企业创新能级，国家高新技术企业总量超过8000家。打造高校 科技 成果转化“首站”和区域创新“核心孵化园”，全年培育市级大学 科技 园3家。成立京津冀 科技 成果转化基金，高标准建设中国（天津）知识产权保护中心。
加快构建现代工业产业体系。坚持制造业立市，制定实施制造强市建设三年行动计划。推进“中国信创谷”“细胞谷”建设，做强做大生物药、现代中药、高端医疗器械等产业，建设现代中药创新中心、北辰京津医药谷，加快氢能产业布局。发展壮大高端装备、 汽车 、石油化工、航空航天等优势产业，推动冶金、轻纺等传统产业高端化、智能化、绿色化升级。大力发展智能制造，建设数字车间、智能工厂100家。着力打造集成电路、车联网等10大产业链，提高产业配套率，发展壮大信息安全、动力电池等国家级先进制造产业集群。推动三星电机陶瓷电容器三期扩能、爱旭 科技 高效晶硅电池等项目投产，加快中科曙光基地二期、一汽丰田、恒大新能源 汽车 等项目建设。
中芯国际天津厂的扩产进度。
（四）重庆市
提升产业链供应链现代化水平。把发展经济的着力点放在实体经济上，加快构建现代产业体系。
持续发展先进制造业。 汽车 产业，加快向高端化、智能化、绿色化升级，强化车辆控制软件、车规级芯片等技术研发应用，推动博世庆铃氢燃料发动机、比亚迪动力电池、领巢9挡自动变速器等项目建设，扩大长安、金康、吉利等新能源 汽车 产销规模，高标准建设车联网先导区，持续提升整车品牌价值。电子产业，坚持研发、制造同步发力，拓展功率半导体、超高清视频、智慧家居等产业发展空间，支持联合微电子中心硅基光电子项目发展，加快华润微电子12英寸功率半导体、京东方第6代柔性显示面板、康佳半导体光电产业园等项目建设。
加快发展数字经济。构建“芯屏器核网”全产业链，做大集成电路、新型显示产业规模，提升先进传感、电子元器件发展水平，丰富智能终端产品，完善工业互联网体系，加速区域和行业标识解析二级节点建设，培育壮大工业互联网平台企业。
华润微重庆12英寸功率器件产线建设、联合微电子中心硅光产线建设。
04
机遇与挑战
集成电路行业最新的国内外动态有哪些？未来的发展趋势是什么？“缺芯”环境下集成电路行业又面临哪些机遇与挑战呢？欢迎私信小信获取本期《行业热点专题分析报告——集成电路产业》全文。
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经济市场风云变幻，金融市场潮涨潮落，政策风向导航未来形势，而作为这些变化的直接承接体的产业，其自身的运行、技术变革、结构调整等因素又会直接或间接的作用于经济、金融，促进某些政策的出台。上述中所涉及到的宏观环节，中观环境等时刻都在迸发着热点事件。任何一个热点事件在一定的范围内都会对产业的运行以及下一步经济、金融形势的发展产生或直接或间接的影响。而银行作为贯穿经济宏观、中观、微观的血脉，任何一个热点事件的产生都有可能对银行的业务产生机会或者是风险。针对此，银联信特别推出了《行业热点专题分析报告》。
《行业热点专题分析报告》专注于为银行对“热点、难点、重点”话题进行深入分析，把控热点事件的发生会对银行的经营管理产生何种影响及最新影响趋势。《行业热点专题分析报告》将对此进行全方面、多层次的归纳、总结、分析，帮助银行清晰地把握事件的前因后果、趋势影响，以便做出最佳的管理决策。
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2011 年 1月 2日
中国集成电路产业发展现状 中国集成电路产业发展现状 集成电路产业发展
关键词：中国集成电路现状
集成电路产业是知识密集、技术密集和资金密集型产业，世界集成电路产业发 展迅速，技术日新月异。2003年前中国集成电路产业无论从质还是从量来说都不 算发达， 但伴随着全球产业东移的大潮， 中国的经济稳定增长， 巨大的内需市场， 以及充裕的人才，中国集成电路产业已然崛起成为新的世界集成电路制造中心。 二十一世纪， 我国必须加强发展自己的电子信息产业。 它是推动我国经济发展， 促进科技进步的支柱，是增强我国综合实力的重要手段。作为电子信息产业基 础的集成电路产业必须优先发展。只有拥有坚实的集成电路产业，才能有力地 支持我国经济、军事、科技及社会发展第三步发展战略目标的实现。
一、我国集成电路产业发展迅速 1998 年我国集成电路产量为 22.2 亿块，销售规模为 58.5 亿元。 到 2009 年，我国集成电路产量为 411 亿块，销售额为 1110 亿元，12 年间产量 和销售额分别扩大 18.5 倍与 20 倍之多，年均增速分别达到 38.1%与 40.2%，销 售额增速远远高于同期全球年均 6.4%的增速。 二、 中国集成电路产业重大变化 2008年是中国集成电路产业发展过程中出现重大变化的一年。 全球金融危机不 仅使世界半导体市场衰退，同时也使中国出口产品数量明显减少，占中国出口总 额1/3左右的电子信息产品增速回落，其核心部件的集成电路产品的需求量相应 减少。 人民币升值也是影响产业发展的一个不可忽视的因素， 因为在目前国内集成电 路产品销售额中直接出口占到70%左右， 人民币升值对于以美元为结算货币的出 口贸易有着重要影响，人民币兑美元每升值1%，国内集成电路产业整体销售额 增幅将减少1.2到1.4个百分点，在即将到来的2011年里，人民币加速升值值得关 注。 三、中国集成电路产品产销概况 中国集成电路产品产销概况 中国集 2008年中国集成电路产业在产业发展周期性低谷呈现出增速逐季递减状态， 全年 销售总额仅有1246.82亿元，比2007年减少了0.4%，出现了未曾有过的负增长局 面；全年集成电路产量为417.14亿块，较2007年仅增长了1.3%。近几年我国集成 电路产品产量和销售额的情况如图1和图2所示：
图1 2003—2008年中国集成电路产品产量增长情况
图2 2003—2008年中国集成电路产品销售额增长情况 由上图可知，最近几年我国集成电路产品销售额虽逐年上升，但上升的速度却 缓慢，这是因为在国务院18号文件颁布后的五年中，中国集成电路产业的产品销 售额一直以年均增长率30%以上的速度上升， 是这个时期世界集成电路增长速度 的3倍，是一种阶段性的超高速发展的状态；一般情况下，我国集成电路产业年 均增长率能保持在世界增长率的1.5倍左右已属高速发展，因此，在2007年以后， 我国集成电路产业的年增长速度逐步减缓应属正常势态， 在世界集成电路产业周 期性低谷阶段，20%左右的年增长率仍然是难得的高速度。世界经济从美国次贷 危机开始逐步向全世界扩展，形成金融危机后又向经济实体部门扩散，从2008
年开始对中国集成电路产业产生影响，到第三季度国际金融危机明显爆发后，中 国集成电路产业销售额就出现了大幅度下滑，形成了第四季度的跳水形态。图3 是这个变化过程。
图3 2006Q1－2008Q4中国集成电路产品销售收入及同比(季期)增长率 中国集成电路产业的发展得益于产业环境的改善， 抵御金融危机的影响政策 十分显著。2008年1月，财政部和国家税务总局发布了《关于企业所得税若干优 惠政策的通知》(财税〔2008〕1号)，对集成电路企业所享受的所得税优惠十分 重视。日前通过的《电子信息产业调整和振兴规划》 ，又把“建立自主可控的集成 电路产业体系”作为未来国内信息产业发展的三大重点任务之一，在五大发展举 措中明确提出“加大投入，集中力量实施集成电路升级”。2005年由国务院发布的 《国家中长期科学和技术发展规划纲要 (2006━2020年)》(国发[2005]44号),确定 并安排了16个国家重大专项，其中把“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件 产品”与“超大规模集成电路制造装备及成套工艺”列在多个重大专项的前两位； 2008年4月国务院常务会议已审议并原则通过了这两个重大专项的实施方案，为 专项涉及的相关领域提供了良好的发展契机。 中国各级政府对集成电路产业发展 的积极支持和相关政策的不断落实， 对我国集成电路产业的发展产生了积极的影 响。 四、中国集成电路产品需求市场 近些年来，随着中国电子信息产品制造业的迅速发展，在中国市场上对集成 电路产品的需求呈现出飞速发展的势态，并成为全球半导体行业的关注点，即使 中国集成电路产品的需 在国内外半导体产业陷入低迷并出现了负增长的2008年，
求市场仍保持着增长的势头， 这是由中国信息产品制造业的销售额保持着10%以 上的正增长率所决定的。 中国最近几年的集成电路产品市场需求额变化情况如图 4所示。
图4 2004-2008年中国集成电路市场需求额 五、我国集成电路产业结构 设计、制造和封装测试业三业并举，半导体设备和材料的研发水平和生产能 力不断增强，产业链基本形成。随着前几年 IC 设计业和芯片制造业的加速发展， 设计业和芯片制造业所占比重逐步上升，国内集成电路产业结构逐渐趋于合理。 2006年设计业的销售额为186.2亿元， 比2005年增长49.8%； 2007年销售额为225.7 亿元，比2006年增长21.2%。芯片制造业2006年销售额为323.5亿元，比2005年增 长了38.9%； 2007年销售额为397.9亿元， 比2006年增长又23.0%。 封装测试业2006 年销售额为496.6亿元，比2005年增长43.9%；2007年销售额为627.7亿元，比2006 年增长26.4%。2001年我国设计业、芯片制造业、封测业的销售额分别为11亿元、 27.2亿元、161.1亿元，分别占全年总销售额的5.6%、13.6%、80.8%，产业结构 不尽合理。 最近5年来， 在产业规模不断扩大的同时，IC 产业结构逐步趋于合理， 设计业和芯片制造业在产业中的比重显著提高。到2007年我国 IC 设计业、芯片 制造业、封测业的销售额分别为225.5亿元、396.9亿元、627.7亿元，分别占全年 总销售额的18.0%、31.7%、50.2%。 半导体设备材料的研发和生产能力不断增强。 在设备方面， 65纳米开始导入生产， 中芯国际与 IBM 在45纳米技术上开展合作，FBP（平面凸点式封装）和 MCP（多
芯片封装）等先进封装技术开发成功并投入生产，自主开发的8英寸100纳米等离 子刻蚀机和大角度离子注入机、12英寸硅片已进入生产线使用。在材料方面，已 研发出8英寸和12英寸硅单晶，硅晶圆和光刻胶的国内生产能力和供应能力不断 增强。
但是2008年，国内集成电路设计、芯片制造与封装测试三业均不同程度的受 到市场低迷的影响，其中芯片制造业最明显，全年芯片制造业规模增速由2007 年的23%下降到-1.3%，各主要芯片制造企业均出现了产能闲置、业绩下滑的情 况；封装测试业普遍订单下降、开工率不足，全年增幅为-1.4%；集成电路设计 业也受到国内市场需求增长放缓的影响， 由于重点企业在技术升级与产品创新方 面所做的努力部份地抵御了市场需求不振所带来的影响， 全年增速仍保持在正增 长状态，为4.2%，高于国内集成电路产业的整体增幅。如图5所示。
图5 2008年中国集成电路产业基本结构
六、集成电路技术发展 集成电路技术发展 我国技术创新能力不断提高，与国外先进水平差距不断缩小。从改革开放之初 的 3 英寸生产线，发展到目前的 12 英寸生产线，IC 制造工艺向深亚微米挺进， 封装测试水平从低端迈向中 研发了不少工艺模块， 先进加工工艺已达到 100nm。 高端，在 SOP、PGA、BGA、FC 和 CSP 以及 SiP 等先进封装形式的开发和生产
方面取得了显著成绩。IC 设计水平大大提升，设计能力小于等于 0.5 微米企业比 例已超过 60%，其中设计能力在 0.18 微米以下企业占相当比例，部分企业设计 水平已经达到 100nm 的先进水平。设计能力在百万门规模以上的国内 IC 设计企 业比例已上升到 20%以上，最大设计规模已经超过 5000 万门级。相当一批 IC 已投入量产，不仅满足国内市场需求，有的还进入国际市场。 总之，集成电路产业是信息产业和现代制造业的核心战略产业，其已成为一些 国家信息产业的重中之重。 2011年我国集成电路产业的发展将勉励更好的发展环 境，国家政府的支持力度将进一步增加，新的扶植政策也会尽快出台，支持研发 的资金将会增多，国内市场空间更为广阔，我国集成电路产业仍将保持较快的发 展速度，占全球市场份额比重必会进一步增大！！ ！
附录： 附录： 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 中国集成电路产业发展大事记（摘自网络） 1947 年，美国贝尔实验室发明了晶体管。 1956 年，中国提出“向科学进军”，把半导体技术列为国家四大紧急措施 之一。 1957 年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用 物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接 触二极管和三极管（即晶体管） 。 1959 年，天津拉制出硅（Si）单晶。 1962 年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs） ，为研究制备其他化合物半导体打 下了基础。 1962 年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。 1963 年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。 1964 年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。 1965 年 12 月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并 在国内首先鉴定了 DTL 型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966 年底， 在工厂范围内上海元件五厂鉴定了 TTL 电路产品。 这些小规模双极型数字集成电 路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路 等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。 1968 年，组建国营东光电工厂（878 厂） 、上海无线电十九厂，至 1970 年建 成投产，形成中国 IC 产业中的“两霸”。 1968 年，上海无线电十四厂首家制成 PMOS（P 型金属－氧化物半导体）电 路（MOSIC） 。拉开了我国发展 MOS 电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研 究所（现电子第 24 所） 、上无十四厂和北京 878 厂相继研制成功 NMOS 电路。之
后，又研制成 CMOS 电路。 七十年代初，全国掀起了建设 IC 生产企业的热潮，共有四十多家集成电路 工厂建成。 1972 年，中国第一块 PMOS 型 LSI 电路在四川永川半导体研究所研制成功。 1973 年，我国 7 个单位分别从国外引进单台设备，期望建成七条 3 英寸工 艺线，最后只有北京 878 厂，航天部陕西骊山 771 所和贵州都匀 4433 厂。 1976 年 11 月，中国科学院计算所研制成功 1000 万次大型电子计算机，所 使用的电路为中国科学院 109 厂（现中科院微电子中心）研制的 ECL 型（发射极 耦合逻辑）电路。 1982 年，江苏无锡的江南无线电器材厂（742 厂）IC 生产线建成验收投产， 这是中国第一次从国外引进集成电路技术。 1982 年 10 月，国务院为了加强全国计算机和大规模集成电路的领导，成立 了以万里副总理为组长的“电子计算机和大规模集成电路领导小组”， 制定了中 国 IC 发展规划，提出“六五”期间要对半导体工业进行技术改造。 1983 年，针对当时多头引进，重复布点的情况，国务院大规模集成电路领 导小组提出“治散治乱”， 集成电路要“建立南北两个基地和一个点”的发展战 略，南方基地主要指上海、江苏和浙江，北方基地主要指北京、天津和沈阳，一 个点指西安，主要为航天配套。 1986 年，电子部厦门集成电路发展战略研讨会，提出“七五”期间我国集 成电路技术“531”发展战略，即普及推广 5 微米技术，开发 3 微米技术，进行 1 微米技术科技攻关。 1989 年 2 月，机电部在无锡召开“八五”集成电路发展战略研讨会，提出 了“加快基地建设，形成规模生产，注重发展专用电路，加强科研和支持条件， 振兴集成电路产业”的发展战略。 1989 年 8 月 8 日， 厂和永川半导体研究所无锡分所合并成立了中国华晶 742 电子集团公司。 1990 年 10 月，国家计委和机电部在北京联合召开了有关领导和专家参加的座谈 会，并向党中央进行了汇报，决定实施九 O 八工程。 1995 年，电子部提出“九五”集成电路发展战略：以市场为导向，以 CAD 为突破口，产学研用相结合，以我为主，开展国际合作，强化投资，加强重点工 程和技术创新能力的建设，促进集成电路产业进入良性循环。 1995 年 10 月，电子部和国家外专局在北京联合召开国内外专家座谈会，献 计献策，加速我国集成电路产业发展。11 月，电子部向国务院做了专题汇报， 确定实施九 0 九工程。 1997 年 7 月 17 日， 由上海华虹集团与日本 NEC 公司合资组建的上海华虹 NEC 电子有限公司组建，总投资为 12 亿美元，注册资金 7 亿美元，华虹 NEC 主要承 担“九 0 九”工程超大规模集成电路芯片生产线项目建设。 1998 年 1 月 18 日，“九 0 八” 主体工程华晶项目通过对外合同验收，这 条从朗讯科技公司引进的 0.9 微米的生产线已经具备了月投 6000 片 6 英寸圆片 的生产能力。 1998 年 1 月，中国华大集成电路设计中心向国内外用户推出了熊猫 2000 系 统，这是我国自主开发的一套 EDA 系统，可以满足亚微米和深亚微米工艺需要， 可处理规模达百万门级，支持高层次设计。 1998 年 2 月 28 日，我国第一条 8 英寸硅单晶抛光片生产线建成投产，这个
项目是在北京有色金属研究总院半导体材料国家工程研究中心进行的。 1998 年 4 月，集成电路“九 0 八”工程九个产品设计开发中心项目验收授 牌，这九个设计中心为信息产业部电子第十五研究所、信息产业部电子第五下四 研究所、上海集成电路设计公司、深圳先科设计中心、杭州东方设计中心、广东 专用电路设计中心、兵器第二一四研究所、北京机械工业自动化研究所和航天工 业 771 研究所。这些设计中心是与华晶六英寸生产线项目配套建设的。 1998 年 3 月，由西安交通大学开元集团微电子科技有限公司自行设计开发 的我国第一个-CMOS 微型彩色摄像芯片开发成功，我国视觉芯片设计开发工作取 得的一项可喜的成绩。 1999 年 2 月 23 日，上海华虹 NEC 电子有限公司建成试投片，工艺技术档次 从计划中的 0.5 微米提升到了 0.35 微米，主导产品 64M 同步动态存储器（S－ DRAM） 这条生产线的建-成投产标志着我国从此有了自己的深亚微米超大规模集 。 成电路芯片生产线。 2000 年 7 月 11 日，国务院颁布了《鼓励软件产业和集成电路产业发展的若 干政策》 随后科技部依次批准了上海、西安、无锡、北京、成都、杭州、深圳 。 共 7 个国家级 IC 设计产业化基地。 2001 年 2 月 27 日， 直径 8 英寸硅单晶抛光片国家高技术产业化示范工程项 目在北京有色金属研究总院建成投产；3 月 28 日，国务院第 36 次常务会议通过 了《集成电路布图设计保护条例》 。 2002 年 9 月 28 日，龙芯 1 号在中科院计算所诞生。同年 11 月，中国电子 科技集团公司第四十六研究所率先研制成功直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶， 实现 了我国直径 6 英寸半绝缘砷化镓单晶研制零的突破。 2003 年 3 月 11 日，杭州士兰微电子股份有限公司上市，成为国内 IC 设计 第一股。 2006 年中星微电子在美国纳斯达克上市。随即珠海炬力也成功上市。 2007 年展讯通信在美国纳斯达克上市。 2008 年《集成电路产业“十一五”专项规划》重点建设北京、天津、上海、 苏州、宁波等国家集成电路产业园。
